Retour en haut

Querelle de brevets sur les mémoires entre Matsushita et Samsung

31/01/2006 15h38, par Reuters

Le groupe japonais Matsushita Electric Industrial contre-attaque en justice aux Etats-Unis contre Samsung Electronics après une plainte de ce dernier pour violation de brevets sur les mémoires.

Matsushita, propriétaire de la marque Panasonic et numéro un mondial de l'électronique grand public, a déposé plainte lundi en réaction aux poursuites engagés en fin d'année dernière par Samsung devant un tribunal fédéral du Texas.

Les brevets en cause concernent la technologie des mémoires DRAM (Dynamic random access memory) utilisées dans les PC.

Samsung est le leader mondial de ce segment, alors que Matsushita s'est retiré de ce marché en 1998.

"Matsushita Electric Industrial réclame des dommages pour infraction de Samsung sur ses brevets dans une plainte déposée devant un tribunal du Texas", a confirmé Samsung dans une note d'information adressée à la Bourse de Séoul.

"Nous prouverons que ces allégations sont sans fondement et nous ferons de notre mieux pour que nos livraisons à la clientèle ne soient pas affectées."

Samsung n'a pas précisé quels étaient les brevets concernés et Matsushita n'a pas fait de commentaire sur les montants réclamés.

La bataille judiciaire entre les deux groupes a commencé au début de l'année 2002. Matsushita avait alors déjà déposé plainte aux Etats-Unis pour infraction sur les brevets.

Les deux groupes ont aussi un contentieux sur les écrans plats.

En décembre, Samsung SDI, premier fabricant mondial d'écrans plasma et filiale de Samsung Electronics, a déposé plainte devant un tribunal fédéral de Los Angeles en accusant Matsushita d'avoir enfreint neuf brevets.

Réagir sur cette actualité d'électronique

Les dernières infos électronique

20/07/2017 15h09 : Zuken annonce le lancement de XJTAG DFT Assistant pour la suite logicielle CR-8000 de conception PCB
20/07/2017 07h50 : Chargeur de batterie, 36V, abaisseur, à haute intégration, procurant une puissance de sauvegarde sans faille
19/07/2017 08h01 : Régulateur, abaisseur, synchrone, 105V, 2,3A, réalisant un rendement de 96% avec de très bas niveaux d’émiss...
18/07/2017 07h32 : Contrôleur de MOSFET canal N, 60V, rapide, protégé, côté haut, possibilité d’un rapport cyclique de 100%
17/07/2017 17h57 : Pilote de LED, monolithique, abaisseur, synchrone, 36V, 2A à architecture Silent Switcher pour réduire les p...
13/07/2017 07h35 : Amplificateur opérationnel à dérive de tension nulle, à puissance la plus basse de l’industrie en consommant...
11/07/2017 16h48 : Farnell element 14 lance une bibliothèque CAO gratuite en partenariat avec TraceParts
07/07/2017 13h41 : Contrôleur de MOSFET canal N, 150V, rapide, côté haut, possibilité d’un rapport cyclique de 100%
06/07/2017 13h57 : Les smartphones Nokia vont être équipés d'optique ZEISS
29/06/2017 16h19 : Remarquable émetteur-récepteur RS485, durci, répondant au standard IEC niveau 4 des ESD
29/06/2017 13h58 : Régulateur double 3,5A, 17V, 4MHz, abaisseur, synchrone, à modulation à étalement de spectre pour réduire le...
28/06/2017 10h20 : TraceParts publie les chiffres clés sur l’utilisation des systèmes de mouvement linéaire et rotatif dans les...

Actualité électronique

A lire aussi