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DRAM : Samsung empile ses puces pour plus de capacité

23/04/2007 18h17, par PC Inpact

Samsung vient d'annoncer la mise au point d'unités de mémoire vive constituées de plusieurs puces de mémoire empilées les unes sur les autres. La technologie en question s'appelle TSV, pour « Through Silicon Via », et consiste à relier les puces directement à travers les différentes couches de silicium superposées.

Ici, Samsung présente un paquet composé de quatre puces de 512 Mbits de mémoire DDR2 superposées, de quoi offrir 2 Gbits de capacité (256 Mo) sur une même surface pour obtenir des barrettes de 4 Go de mémoire vive au format DIMM.

L'avancée de la technologie TSV réside dans le fait que les puces empilées ne nécessitent plus d'espace libre entre les étages pour y faire passer les câbles d'interconnexion tradionnels : ces interconnexions se font verticalement, à travers les couches de silicium grâce à de minuscules trous percés au laser.

Samsung affirme ainsi pouvoir offrir des paquets de puces empilées plus petits et surtout plus fins.

Elpida fait de même, mais avec 20 puces empilées

Chez Akita Elpida, on annonce le même jour l'arrivée des paquets de puces les plus fins du moment, par rapport au nombre de puces qu'ils regroupent. La marque a empilé 20 puces dans un seul paquet d'1,4 mm d'épaisseur seulement.

La technologie est en revanche différente, sans interconnexion verticale. Elpida explique que les câbles d'interconnexion sont compressés dans une couche de 40 microns seulement, l'intégration se fait ensuite grâce à une technique d'injection de résine entre les puces.

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