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Après Samsung, Intel annonce sa PRAM avant la fin de l'année

12/03/2007 12h58, par The Inquirer

Les deux rivaux sont sur les dents. Samsung avait annoncé en septembre 2006 sa PRAM, lui attribuant le respectueux surnom de "Perfect RAM" car elle est 30 fois plus rapide que la mémoire Flash. Intel vient d'annoncer sa production de masse avant juin 2007.

Mais alors que Samsung n'avait pas prévu de sortir ses modules 512 Mo avant 2008, Intel lui vole la primeure dans cette guerre à la mémoire Flash sans merci. IBM et Hitachi sont aussi sur ce marché développé chez STMicroelectronics mais Intel grille la priorité à tout le monde, montrant clairement qui est le patron.

Ars Technica a demandé au responsable du produit chez Intel, Greg Komoto, plus de détails mais il n'apparaît qu'Intel aurait seulement démontré un module 128 Mo en 90 nm à ce jour alors que Samsung a déjà envoyé des modules de test de 256 Mo et 512 Mo, en 90 nm, à des fabricants de téléphones portables.

Plus rapide, plus solide (la PRAM supporterait 100 millions de cycles, beaucoup plus que la Flash, et garderait les données plus de 10 ans), cette nouvelle technologie repose sur un principe chimique utilisé en cristallographie.

Bref, les deux géants risquent bien de livrer suffisamment de PRAM, ou PCM, cette année pour éliminer la mémoire Flash aussi rapidement qu'elle nous a envahis. Un passage éclair en somme.

 

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