Actualité du jour
30/10/2018 19h11, par Texas Instruments
Quelque 20 millions d’heures d’essais de fiabilité le prouvent : le transistor à effet de champ haute tension en GaN, doté de fonctions de commande et de protection intégrées, double la puissance volumique des applications du secteur industriel et des télécommunications.
DALLAS (29 octobre 2018) – Texas Instruments (TI) (NASDAQ : TXN) a annoncé aujourd’hui le lancement d’un nouveau portefeuille d’étages de puissance prêts à l’emploi de 50 mΩ ou 70 mΩ, 600 V, en nitrure de gallium (GaN). Capable de prendre en charge des applications jusqu’à 10 kW, la gamme LMG341x permet aux ingénieurs de mettre au point des systèmes plus compacts, plus efficaces et plus performants qu’avec des transistors à effet de champ (FET) en silicone destinés à différents secteurs : les alimentations électriques en CC/CA, la robotique, les énergies renouvelables, les infrastructures en grille, les télécommunications ou encore les appareils électroniques personnels. Pour plus d’informations, consultez les pages http://www.ti.com/lmg3410r050-pr-eu http://www.ti.com/lmg3410r070-pr-eu et http://www.ti.com/lmg3411r070-pr-eu.
Grâce à ses caractéristiques fonctionnelles et de protection uniques en leur genre, la gamme proposée par TI propose une alternative intelligente aux FET en GaN classiques, qu’ils soient autonomes ou montés en cascade. Elle simplifie ainsi la conception des systèmes, améliore leur fiabilité et optimise les performances des alimentations haute tension. Les fonctions intégrées de limitation de courant et de détection des surchauffes en < 100 ns évitent les appels de courant inattendus et les claquages thermiques. De plus, les signaux affichés sur l’interface offrent une fonction d’autosurveillance.
Principaux atouts et caractéristiques des composants LMG3410R050, LMG3410R070 et LMG3411R070
À l’occasion du salon electronica, qui se tiendra du 13 au 16 novembre 2018 au parc des expositions de Munich, en Allemagne, Texas Instruments présentera une application de liaison de réseaux via le cloud de 10 kW. La démonstration se tiendra dans le hall C4, stand 131. Développé conjointement par TI et Siemens, ce système repose sur le composant LMG3410R050, un transistor à effet de champ en GaN de 600 V à fonctions de commande et de protection intégrées. Il permet aux ingénieurs de réduire la taille du composant de 30 % par rapport à un FET classique en silicone, tout en maintenant une efficacité quasi identique.
Les composants LMG3410R050, LMG3410R070 et LMG3411R070 sont disponibles dès aujourd’hui dans la boutique TI, au format QFN (quad flat no-lead) 8x8 mm. Le lot de 1 000 unités est proposé respectivement à 18,69 USD, 16,45 USD et 16,45 USD.
Texas Instruments Incorporated (TI) est une entreprise de conception et de fabrication de semi-conducteurs d’envergure mondiale qui développe des circuits intégrés analogiques et des processeurs embarqués. Fort de sa politique d’excellence, TI crée les innovations qui dessinent le visage de la technologie de demain. TI est fier d’aider plus de 100 000 clients à transformer l’avenir dès aujourd’hui. Pour en savoir plus, rendez-vous sur www.ti.com.
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