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Toshiba lance un MOSFET de puissance canal N de 1,4 m? et 80 V destiné aux équipements industriels à haut rendement

01/07/2026 17h11, par electronique-mag.com

La gamme U-MOS11-H offre de faibles pertes et une capacité de courant de drain élevée dans un boîtier compact de 4,9 × 6,1 mm Düsseldorf, Allemagne, le 30 juin 2026 ? Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé le TPM1R408RH, un MOSFET de puissance canal N de 80 V basé sur sa toute dernière (...)

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