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Toshiba lance les livraisons d?échantillons de test du MOSFET SiC 1 200 V à grille en tranchée pour les centres de données IA de nouvelle génération

21/05/2026 19h21, par electronique-mag.com

Le boîtier QDPAK à refroidissement par le haut permet d'atteindre une forte densité de puissance et de réduire les pertes de puissance dans les architectures HVDC de 800 V Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a commencé aujourd'hui à livrer des échantillons de test du MOSFET SiC à grille en (...)

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