Un transistor MOS deux fois plus rapide que les modèles précédents
03/09/2002 18h06, par ADIT
Les laboratoires de Fujitsu ont annonce les résultats de leur travail sur la conception d'un nouveau transistor. Ce transistor MOS (Metal Oxyde Semiconductor) de type PNP est capable d'effectuer des opérations deux fois plus rapidement que les transistors actuellement utilisent. L'équipe de Fujitsu a modifie la composition du film Silicium-Germanium séparant l'électrode du collecteur de celle de l'émetteur. A l'inverse des matériaux conducteurs comme le cuivre qui permettent le transport du signal électrique par un déplacement des électrons de la matière les constituant, cette couche mince de matière permet le passage du signal électrique au travers de trous dans la structure cristalline du matériau semi-conducteur. Les laboratoires de Fujitsu ont augmente de 20% la composition du germanium dans ce film du cote de l'émetteur. La région séparent les deux électrodes est inclinée d'un angle de 45 degrés par
rapport a sa position dans les transistors standards MOS de type PNP. C'est cette structure particulière qui augmente la vitesse de passage du signale électrique. La structure de ce nouveau transistor est simple à réaliser. Fujitsu pense utiliser cette technologie pour la fabrication des circuits électroniques des téléphones cellulaires et des ordinateurs de poche.
