Motorola a presente son nouveau type de transistor MIGFET, pour "Multiple Independent Gate Field Effect Transistor", un transistor avec plusieurs grilles controlables independamment les unes des autres et reparties de chaque cote du canal conducteur.
Les transistors traditionnels fonctionnent avec une porte unique disposee sur un plan horizontal et donc un seul endroit pour enregistrer l'information. L'industrie microelectronique avait deja experimente des structures verticales avec 2 grilles pour une meilleure integration des systemes : il y a deux ans environ, des chercheurs d'IBM presentaient leur transistor double grille. Avec 2 grilles de chaque cote d'un canal conducteur, cette technologie doublait le courant effectif passant a travers le transistor et permettait d'augmenter notablement ses performances. Ces structures etaient cependant limitees par le fait que les deux grilles devaient etre parfaitement isolees, pour fonctionner independamment. L'ete dernier, Intel annoncait son projet d'un dispositif "Tri-gate", avec 2 grilles arrangees verticalement et une horizontale.
L'approche de Motorola pour son dispositif multi-grilles est de les arranger sur chacune des faces d'une structure en silicium. De cette maniere, les 2 grilles sont separees electriquement et peuvent fonctionner avec leur propre courant.
Cette avancee technologique promet d'ameliorer plusieurs caracteristiques des transistors :
- une plus faible consommation : le dispositif peut etre eteint en utilisant l'ensemble des grilles ou en commutant une seule grille pour controler dynamiquement la quantite de puissance consommee et reduire ainsi la consommation electrique.
- une vitesse de traitement de l'information plus rapide :
un seul transistor peut etre utilise pour resoudre des fonctions logiques complexes, ce qui necessite aujourd'hui plusieurs transistors relies ensembles.
- des circuits plus petits : avec cette structure verticale, les fabricants de Circuits Integres peuvent placer plus de fonctionnalites dans un meme espace. Un autre avantage de cette technologie est la possibilite de realiser ces transistors avec les moyens de production actuels.
