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Actualité électronique

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TEXAS OPTOELECTRONICS, une diode émettrice rapide en infrarouge de forte puissance

15/01/2003 08h57, par c-et-p.com

Avec la nouvelle diode TOX9002 de TEXAS OPTOELECTRONICS, représenté et distribué par REP' FRANCE, on dispose d'un émetteur Ga Al As de grande radiance en boîtier TO46 de haute fiabilité.
L'émetteur ponctuel fait moins de 1,0mm de diamètre avec un temps de réponse de 4 à 6 nanosecondes. Il délivre 2 milliwatts typiques sous une intensité de 100 milliampères et une tension de 1,6 Volts. Il émet en 850 +/- 50 nanomètres.

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