03/01/2007 14h07, par The Inquirer
Le géant coréen Samsung veut d'appâter les dévoreurs de stockage en annonçant la sortie d'un prototype de mémoire flash à de 16 Go, mémoire basée sur des portes NON-ET.
Il prévoit la production grâce à un processus de gravure à 50 nanomètres qui permettra d'accélérer le passage aux mémoires flash.
Les puces de 16 Go seront produites en masse dans le trimestre suivant
