Samsung commence la production de la memoire XDR-DRAM
14/02/2005 22h05, par ADIT
Samsung Electronics a annonce le 25 janvier avoir debute la production en masse de la "eXtreme Data Rate Dynamic Random Access Memory" (XDR DRAM) 256 megabit. Cette memoire est 10 fois plus rapide que la Double Data Rate (DDR) DRAM et 5 fois plus rapide que la Rambus DRAM.
La nouvelle XDR DRAM peut gerer des donnees a la vitesse de 8 gigaoctets par seconde. Elle sera utilisee dans les systemes multimedias avances. Samsung a en projet de demarrer pendant la premiere moitie de cette annee 2005 la XDR DRAM 512 megabits qui a un taux de transfert de donnees de 12,8 gigaoctets par seconde, pour prendre la tete du marche complexe des puces DRAM.
