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Octroi d'une licence d'une technologie MoSys à Philips

05/06/2003 13h05, par EDGelectronic

MoSys annonce l’octroi de la licence de la technologie de mémoire embarquée 1T-SRAM® de MoSys à la division semi-conducteur de Philips.

Cette technologie de mémoire embarquée 1T-SRAM sera utilisée pour les circuits spécifiques/systèmes sur une puce d’infrastructure cellulaire de Philips, permettant l’intégration de blocs mémoire embarqués de haute densité et de hautes performances.

Cet accord de licence sera initialement utilisé pour des produits fabriqués en processus 0,13 micron en utilisant la technologie 1T-SRAM-R™ récemment annoncée par MoSys.

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