Les applications photoniques du silicium sont rares aujourd'hui en raison de ses faibles proprietes d'emission. Une equipe de recherche commune des laboratoires d'Intel a Santa Clara et a Jerusalem a reussi a integrer un laser de type Raman1 en silicium sur une puce microelectronique. Le guide d'onde du laser a ete realise suivant une forme en S avec une surface de conduction de 1,6 µm× sur une longueur de 4,8 cm. Les chercheurs ont ensuite recouvert une paroi du guide d'onde avec un materiau hautement reflectif. Apres avoir pompe la cavite avec des pulsations d'un laser operant a 1536 nm, la cavite optique a commence a emettre un rayonnement laser autour de 1669,5 nm pour une puissance de 0,4 mW. Actuellement, le dispositif a des temps de fonctionnement assez faibles, de l'ordre des 100 ns, a cause d'un processus d'absorption de type "deux photons" qui stoppe l'effet laser. Les chercheurs travaillent desormais a resoudre ce probleme d'absorption a deux photons pour avoir une emission laser sur des temps plus longs.
