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Freescale crée le premier produit MOSFET en AsGa commercialement viable

30/01/2006 17h40, par Freescale Semiconductor

Cette percée technologique devrait assurer des gains de performances exceptionnels pour de nombreuses applications


Austin, Texas, le 30 janvier 2006 - Freescale Semiconductor (NYSE : FSL, FSL.B) a développé le premier circuit au monde associant les hautes performances de l'arséniure de gallium (AsGa) aux avantages offerts par les transistors MOSFET(1) traditionnels et à leur loi d'échelle.

La percée technologique accomplie par Freescale rend possible le développement de nouvelles catégories d'amplificateurs de puissance et de semiconducteurs ultra-rapides à basse consommation qui permettent de réduire significativement les dimensions et de doper les performances des produits finaux. Cette augmentation des performances pourrait avoir un impact considérable sur la conversion analogique/numérique, en rendant cette opération pratiquement instantanée.

La technologie des MOSFET silicium forme la base de la technologie CMOS, qui représente le process de conception microélectronique le plus courant et qui est utilisé dans la quasi-totalité des produits électroniques. Avant cette avancée technologique réalisée par Freescale, des limitations scientifiques fondamentales empêchaient l'utilisation d'équipements et l'application de méthodes d'interconnexion et processus MOSFET standard en AsGa, un matériau qui génère moins de bruit, et dont la vitesse de conduction des électrons est jusqu'à 20 fois plus élevée qu'avec le silicium classique.

L'incapacité de l'industrie à déployer du dioxyde de silicium ou d'autres matériaux diélectriques dans des circuits en arséniure de gallium empêchait jusqu'à présent l'intégration de structures de grille en oxyde métallique qui jouent un rôle essentiel dans la création de MOSFET viables en arséniure de gallium. Freescale a identifié des circuits et des matériaux compatibles avec l'arséniure de gallium qui offrent des capacités de mise à l'échelle qui n'ont rien à envier aux matériaux silicium traditionnels. Cette solution élimine les problèmes propres aux interfaces semiconducteurs-oxyde, qui jusqu'alors décourageaient la création de transistors MOSFET hautes performances en substrat AsGa.

« Cette réussite remarquable met un terme aux hypothèses historiques de l'industrie et permet de modifier fondamentalement la façon dont les semiconducteurs hautes performances peuvent être conçus, fabriqués et déployés », déclare Sumit Sadana, senior vice-président, Strategy and Business Development et Directeur Technique de Freescale. « Cette avancée confirme l'engagement permanent de Freescale en faveur de l'innovation technologique ».

« La technologie MOSFET en AsGa de Freescale devrait avoir un impact considérable sur l'évolution de l'industrie », déclare Asif Anwar, directeur GaAs Services de Strategy Analytics. « Elle devrait en effet permettre une amélioration sensible des performances en s'appuyant sur des technologies de fabrication éprouvées ».

Selon Freescale, les premières générations de MOSFET en arséniure de gallium devraient être extrêmement spécialisées et conçues pour compléter les technologies microélectroniques traditionnelles. Freescale accélèrera le déploiement de cette technologie en collaborant avec des partenaires spécialisés dans la création de produits d'infrastructure, de solutions sans fil et optoélectroniques exigeant de très hautes performances de calcul.


(1) Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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