Lors du Meeting IEEE International Electron Devices Meeting organise a Washington du 7 au 10 decembre dernier, AMD a presente ses nouveaux projets de transistors pour la technologie 45 nm, dont l'utilisation d'une architecture de type "FDSOI" (Fully Depleted Silicon-On-Insulator). Le nouveau type de transistor permet de maximiser les performances lors des operations de commutations et de diminuer les fuites de courant.
Techniquement, un canal de conduction ultra-fin utilisant la technologie FDSOI, est entoure de 3 grilles metalliques de NiSi (Siliciure de Nickel), en remplacement du silicium polycristallin actuel des grilles. La combinaison du FDSOI et de la triple grille metallique a pour effet d'etirer la structure de la maille silicium et d'augmenter la mobilite des porteurs au sein du canal electrique. En plus de la multi-grille, la structure FDSOI ameliore la largeur effective du canal de conduction, permettant d'obtenir de meilleurs courants ON et de plus faibles pertes lors des periodes OFF, avec des temps de commutation plus courts.
AMD n'a pas encore precise la date de mise en oeuvre de cette technologie, mais selon la roadmap du fondeur, des composants a 90 nm seront graves en 2005, ce qui repoussera l'echeance vers 2007-2008. A cette meme date, Intel a annonce son intention de graver des circuits a 65 nm et a 45 nm en 2007.
